在SiO2表面制备纳米氧化铜的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了在SiO2表面制备纳米氧化铜的方法，包括以下步骤：1)配制水的体积分率为0.1％－20％低级醇溶液，搅拌下按每100ml低级醇溶液依次加入0.1－25g的SiO2和0.005－10g的Cu的化合物，充分混合均匀；2)配制浓度为1－300g/L的无机碱的水溶液或醇溶液，搅拌条件下滴加至步骤1)得到的反应体系中，反应10min－10hr，反应温度为－5℃～70℃，离心分离，干燥，得到在SiO2表面负载氧化铜的复合材料。本发明通过在二元混合溶液中的反应，在SiO2表面制备纳米CuO晶粒，利用SiO2表面对CuO晶粒的稳定作用，有效避免或减少了CuO粒子的团聚现象。
基本信息
专利标题 ：
在SiO2表面制备纳米氧化铜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776012A
申请号 ：
CN200510061669.2
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋新
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510061669.2
主分类号 ：
C23C18/02
IPC分类号 ：
C23C18/02 C23C18/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/02
热分解法
法律状态
2012-01-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101176116442
IPC(主分类) : C23C 18/02
专利号 : ZL2005100616692
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20080430
终止日期 : 20101122
号牌文件序号 : 101176116442
IPC(主分类) : C23C 18/02
专利号 : ZL2005100616692
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20080430
终止日期 : 20101122
2008-04-30 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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