氧化铜纳米管阵列的制备方法
专利权的终止
摘要
氧化铜纳米管阵列的制备方法，其特征是首先以氢氧化钠、过硫酸铵和铜箔为原料，以水为溶剂，于0－30℃下反应，制备出氢氧化铜纳米管阵列；进而以氢氧化铜纳米管阵列为前驱体，通过在惰性气氛保护下或是在真空状态中加热获得氧化铜纳米管阵列。本发明方法简单、条件温和、成本低廉、可大面积生产出粗细均匀、整齐有序的CuO纳米管结构阵列。
基本信息
专利标题 ：
氧化铜纳米管阵列的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1817785A
申请号 ：
CN200610037649.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张卫新杨则恒丁筛霞杨世和
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
230009安徽省合肥市屯溪路193号
代理机构 ：
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人 ：
何梅生
优先权 ：
CN200610037649.6
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00 C01G3/02
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2013-03-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101412321626
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2006100376496
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20120109
号牌文件序号 : 101412321626
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2006100376496
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20120109
2009-03-18 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100469685C.PDF
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2、
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