提高熔丝熔断成功率的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种提高熔丝熔断成功率的方法，针对集成电路上具有一熔丝的电路，设置一逆向二极管，利用该逆向二极管与熔丝串接，使得熔丝熔断的电流路径上，多一个逆向二极管的逆偏压，用以提高熔丝熔断的电流路径上的崩溃电压，使得熔断电流以近乎100％的效率流入熔丝，进而熔断该熔丝。
基本信息
专利标题 ：
提高熔丝熔断成功率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992262A
申请号 ：
CN200510097116.2
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林春生
申请人 ：
矽创电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭焱
优先权 ：
CN200510097116.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/525
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-03-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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