光生伏打装置
授权
摘要
本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层。利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
基本信息
专利标题 ：
光生伏打装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755949A
申请号 ：
CN200510105632.5
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺川朗
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510105632.5
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04
法律状态
2009-04-22 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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