氢化锆表面Cr－C－O氢渗透阻挡层制备工艺
授权
摘要
本发明提供了一种在氢化锆表面制备致密氢渗透阻挡层的工艺，该工艺是将氢化锆块经过磨光和预氧化后，在铬酐镀液中电镀30～180分钟，得到Cr－C合金镀层，经水煮去掉残余镀液后，再次氧化，可在氢化锆表面得到Cr－C－O氢渗透阻挡层，从而解决反应堆氢化锆慢化剂在650～750℃的工作温度下氢的析出问题。
基本信息
专利标题 ：
氢化锆表面Cr－C－O氢渗透阻挡层制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1940144A
申请号 ：
CN200510105646.7
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵平邹从沛孔祥巩彭倩
申请人 ：
中国核动力研究设计院
申请人地址 ：
610041四川省成都市436信箱32分箱
代理机构 ：
核工业专利中心
代理人 ：
任晓航
优先权 ：
CN200510105646.7
主分类号 ：
C25D3/10
IPC分类号 ：
C25D3/10 C25D7/00 C25D9/08 G21C5/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D3/00
电镀；其所用的镀液
C25D3/02
溶液
C25D3/04
铬的
C25D3/10
以所用镀液有机组分为特征的
法律状态
2009-09-23 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
