用于染料敏化太阳能电池的介孔金属对电极的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了属于太阳能电池技术的一种用于染料敏化太阳能电池的介孔金属对电极的制备方法。将纳米结构的、大比表面积的介孔金属材料用非离子表面活性剂电沉积法、阳离子表面活性剂电沉积法，或化学法沉积于基底材料上制备介孔金属电极，并将介孔金属电极应用作为染料敏化太阳能电池的对电极，以提高该电池的光电转换效率，降低该电池的成本，促进该电池的商业化。与传统的蒸镀电极相比，太阳能电池的光电转换效率提高了约20％和降低电池的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
用于染料敏化太阳能电池的介孔金属对电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770401A
申请号 ：
CN200510105677.2
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林红林春富王宁李建保杨晓战
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市100084－82信箱
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
李光松
优先权 ：
CN200510105677.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L31/18 H01L51/48 H01G9/20 H01M14/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2018-09-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20170930
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20170930
2008-05-07 ：
授权
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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