原子束产生装置及其方法
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摘要

本发明提供一种原子束产生装置及其方法,所述装置包括一离子化腔室、一离子束引导器、一电性中和腔室与一电压调整装置。其中,离子化腔室用以产生一离子束,而离子束引导器适于由离子化腔室引出离子束。所述电性中和腔室与电压调整装置配置于离子束的行径上,且离子束引导器位于电性中和腔室与离子化腔室之间,而电压调整装置是位于离子束引导器与电性中和腔室之间。此外,电压调整装置能降低离子束的能量,且离子束通过电性中和腔室之后会被中和成一中性原子束。本发明的原子束产生装置能有效地产生中性原子束。

基本信息
专利标题 :
原子束产生装置及其方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1758827A
申请号 :
CN200510105757.8
公开(公告)日 :
2006-04-12
申请日 :
2005-09-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
丁进国
申请人 :
广辉电子股份有限公司
申请人地址 :
台湾省桃园县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
任默闻
优先权 :
CN200510105757.8
主分类号 :
H05H3/02
IPC分类号 :
H05H3/02  
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法律状态
2008-02-06 :
授权
2006-06-07 :
实质审查的生效
2006-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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