激励原子束源
专利申请的视为撤回
摘要
激励原子束源，通过设置半同轴空腔谐振器的放电室，沿该轴向加磁场的构件，被激气体导入口和沿径向引出激励原子的导出口。能沿轴向加磁场，封闭原子与离子，从而能沿径向优先引出呈电气中性的激励原子。本发明还通过在喷嘴与小孔之间产生形成磁路的微波等离子体，并只让等离子体中的高速中性及激励原子通过小孔，能获得超音速的激励原子束，用于向半导体的掺杂。
基本信息
专利标题 ：
激励原子束源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1099188A
申请号 ：
CN94103083.0
公开（公告）日 ：
1995-02-22
申请日 ：
1994-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田善一水口信一
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
汪瑜
优先权 ：
CN94103083.0
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 C30B31/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2000-09-06 ：
专利申请的视为撤回
1996-06-26 ：
实质审查请求的生效
1995-02-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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