铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法
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摘要

本发明公开了一种铁电薄膜移相器,为在共面线上双周期性地装载铁电可调电容,共面线包括一条传输线和两个位于传输线两侧的接地面,接地面和传输线共同附着在基片的同一平面上,接地面与传输线之间是等宽度的缝;本发明还公开了一种检测与优化铁电薄膜移相器反射特性的方法,将相邻两段传输线的长度固定,改变装载可调电容的位置,通过计算机仿真查看这种结构的反射及传输特性曲线,调整装载铁电可调电容的位置,利用仿真得出的反射频率响应曲线,比较判断出具有反射损耗比较小且工作带宽又比合适的最终结构。本发明可以增加移相器的工作频率带宽,在较高的频率范围内,有利于提高器件的品质因子。

基本信息
专利标题 :
铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1780045A
申请号 :
CN200510105784.5
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张雪强孟庆端李翡孙亮黄建冬张强何豫生李春光何艾生黎红
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 :
尹振启
优先权 :
CN200510105784.5
主分类号 :
H01P1/18
IPC分类号 :
H01P1/18  H03H11/16  H03H17/08  H03H9/66  
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法律状态
2009-07-08 :
授权
2006-07-26 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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