一种优化电特性的DMOS
授权
摘要
本实用新型公开一种优化电特性的DMOS。该方法包括在衬底上制作外延层，在外延层上制作第二导电类型的耐压环区；在外延层上侧刻蚀形成LTO沟槽，向LTO沟槽内填满二氧化硅，改变LTO沟槽的宽度和深度，可以改变LTO沟槽区域周围的电场分布和各电学参数。本实用新型的DMOS在Rsp增加较小的前提下，大幅增加BVDSS和降低电容参数，优化其输出特性，降低工作损耗，且与现有工艺平台兼容，工艺实现简单且工艺窗口足够。
基本信息
专利标题 ：
一种优化电特性的DMOS
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020206878.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211295110U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
李加洋胡兴正薛璐刘海波
申请人 ：
南京华瑞微集成电路有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号科创园3号楼5楼
代理机构 ：
南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁金娟
优先权 ：
CN202020206878.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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