一种GaN功率器件输出特性的测试电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种GaN功率器件输出特性的测试电路，包括：隔离驱动芯片、驱动及门源极保护电路、GaN功率开关器件VT1、待测GaN功率开关器件VT2、第一RC吸收保护电路、第二RC吸收保护电路、电感L、直流电源Vd和高隔离电源；本实用新型提供的电路，可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数，提高测试结果的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN功率器件输出特性的测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920621383.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN211086502U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
王蓓蓓栾洪洲朱宁辉张良王轩董亮燕翚刘道民张彬
申请人 ：
中电普瑞科技有限公司;南瑞集团有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区南邵镇南中路16号
代理机构 ：
北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐国文
优先权 ：
CN201920621383.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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