半穿透半反射液晶显示面板的像素结构及其制造方法

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摘要

一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，具有一反射区以及一穿透区，此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括一透明基板、一薄膜晶体管、至少一反射结构、一像素电极以及一反射层，其中薄膜晶体管是配置于透明基板上，且薄膜晶体管位于反射区内。此外，反射结构是配置于透明基板上的薄膜晶体管的一侧，且位于反射区内，而像素电极是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并至少位于穿透区内，且像素电极是电性连接至薄膜晶体管。另外，反射层是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并位于反射区内，且反射层与像素电极相连接。

基本信息

专利标题：

半穿透半反射液晶显示面板的像素结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1740862A

申请号：

CN200510106904.3

公开（公告）日：

2006-03-01

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

简良能

申请人：

广辉电子股份有限公司

申请人地址：

台湾桃园县

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

李树明

优先权：

CN200510106904.3

主分类号：

G02F1/1333

IPC分类号：

G02F1/1333 G02F1/1368 G02F1/1335