一种导电氧化铝基纳米陶瓷材料的制备方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种导电氧化铝基纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于以微米级AlN、TiO₂和金属Ti粉为起始原料，按Al₂O₃与TiN的重量比为75∶25～55∶45配料；配料以后以酒精为介质湿混，球料重量比为4∶1，球磨时间为12小时；最后将干燥后混合粉体用放电等离子体快速原位反应烧结，烧结温度为1300～1500℃，采用两步加压方式，烧结时的压力为40～60MPa，保温5～10分钟。所制备的导电氧化铝基纳米陶瓷材料的晶粒尺寸小于300纳米、抗弯强度700～830MPa，电导率σ为4.8～7.1×10⁵Ω^－1·m^－1。具有制备周期短、能耗低、环境友好等特性，具有良好的产业化前景。

基本信息

专利标题：

一种导电氧化铝基纳米陶瓷材料的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1793008A

申请号：

CN200510110614.6

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-11-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王连军江莞陈立东

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

优先权：

CN200510110614.6

主分类号：

C04B35/10

IPC分类号：

C04B35/10 C04B35/622 C04B35/64