微分叠加射频CMOS低噪声放大器
专利权的终止
摘要
一种微分叠加射频CMOS低噪声放大器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。在传统共源共栅LNA的基础上，增加一个工作在线性区的NMOS，旨在抵消传统结构中共源极MOS的高阶跨导系数，从而使整个LNA在基本不影响正向放大倍数及噪声系数的同时提高其线性度。其优点为：同时获得较大的线性度和较高的正向放大倍数。本发明适用于1.9GHz PCS的无线接收模块中，它能显著提高无线信号的频谱纯度，降低基带信号的误码率。
基本信息
专利标题 ：
微分叠加射频CMOS低噪声放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790894A
申请号 ：
CN200510112157.4
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李勇金玮景一欧赖宗声
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
200062上海市中山北路3663号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
程宗德
优先权 ：
CN200510112157.4
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26 H04B1/16
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599309529
IPC(主分类) : H03F 1/26
专利号 : ZL2005101121574
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20131228
号牌文件序号 : 101599309529
IPC(主分类) : H03F 1/26
专利号 : ZL2005101121574
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20131228
2009-02-11 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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