基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法
专利权的终止
摘要

一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法,包括如下步骤:(1)衬底的清洗,(2)底电极层的制备,(3)金属支柱层的制备,(4)金属顶电极层的制备,(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术,作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺,可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能,包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计,并方便实现微型智能传感器。

基本信息
专利标题 :
基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1793892A
申请号 :
CN200510112214.9
公开(公告)日 :
2006-06-28
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯中宇张亚非蔡炳初徐东魏星
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
王锡麟
优先权 :
CN200510112214.9
主分类号 :
G01N27/62
IPC分类号 :
G01N27/62  H01L49/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/62
通过测试气体的电离,例如气溶胶;通过测试放电,例如阴极发射
法律状态
2013-02-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101402335308
IPC(主分类) : G01N 27/62
专利号 : ZL2005101122149
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20111229
2008-12-17 :
授权
2006-08-23 :
实质审查的生效
2006-06-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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