低聚噻吩－亚芳基衍生物和使用其的有机薄膜晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
低聚噻吩－亚芳基衍生物和使用其的有机薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763035A
申请号 ：
CN200510113849.0
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑银贞金昌柱李相润李芳璘韩国珉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
封新琴
优先权 ：
CN200510113849.0
主分类号 ：
C07D333/18
IPC分类号 ：
C07D333/18 C07D409/04 C07D413/04 C07D417/04 C07D487/04 C07D471/04 C07F5/02 C07F7/22 H01L51/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D333/00
杂环化合物，含五元环，有1个硫原子作为仅有的杂环原子
C07D333/02
不和其他环稠合
C07D333/04
环硫原子上未取代
C07D333/06
仅有氢原子、烃基或取代烃基，直接连在环碳原子上
C07D333/14
被除卤素外单键键合的杂原子取代的基
C07D333/18
被硫原子
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003309800
IPC(主分类) : C07D 333/18
专利申请号 : 2005101138490
公开日 : 20060426
号牌文件序号 : 101003309800
IPC(主分类) : C07D 333/18
专利申请号 : 2005101138490
公开日 : 20060426
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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