星形低聚噻吩－亚芳基衍生物和利用它的有机薄膜晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种星形低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有p－型半导体特性的低聚噻吩结合在位于分子中部具有n－型半导体特性的亚芳基上，并与亚芳基形成星形，因而同时具有p－型和n－型半导体特性。本发明还公开了一种利用所述低聚噻吩－亚芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形低聚噻吩－亚芳基衍生物可以在室温下旋涂，使得可以制备有机薄膜晶体管，同时又满足高载流子迁移率和低截止状态漏电流的要求。
基本信息
专利标题 ：
星形低聚噻吩－亚芳基衍生物和利用它的有机薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1978439A
申请号 ：
CN200510126966.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩国珉郑银贞金昌柱李恩庆
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200510126966.0
主分类号 ：
C07D333/04
IPC分类号 ：
C07D333/04 C07D487/04 C07D487/16 C07D487/06 C07D487/14 C07D241/38 C07D251/12 C07D213/04 C07D237/06 C07D207/30 C07D233/54 C07D249/08 C07D263/30 C07D261/06 C07D271/06 C07D275/02 C07D277/20 C07D285/08 C08G61/12 H01L51/05 H01L51/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D333/00
杂环化合物，含五元环，有1个硫原子作为仅有的杂环原子
C07D333/02
不和其他环稠合
C07D333/04
环硫原子上未取代
法律状态
2010-11-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101043680228
IPC(主分类) : C07D 333/04
专利申请号 : 2005101269660
公开日 : 20070613
号牌文件序号 : 101043680228
IPC(主分类) : C07D 333/04
专利申请号 : 2005101269660
公开日 : 20070613
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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