存储器元件及阵列、接触结构的制法及制得的装置与元件
授权
摘要
本发明将I形及L形接触结构及其制造方法应用到半导体元件上，且在某些情形下应用到相变型非易失存储元件上。以这些方法制造的I形及L形接触结构只占相当小的主动面积，而此可控制接触结构尺寸的方法是应用传统的半导体沉积与蚀刻步骤来达成，故其再现性甚佳。
基本信息
专利标题 ：
存储器元件及阵列、接触结构的制法及制得的装置与元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783455A
申请号 ：
CN200510115567.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李明修刘瑞琛
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200510115567.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-04-23 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
