具有高热耗散的合成结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种应用于光学、光电子学或电子学的合成结构(40)，该合成结构(40)包含支撑晶片(20)、由选自单晶材料的材料制成的层和由介电材料制成的层(13)，其特征在于，选择支撑晶片(20)的制备材料、由单晶材料制成的层(11)和介电层(13)，并调整每层的厚度，使得在环境温度和600°K之间，合成结构(40)的热阻抗低于或等于具有与合成结构相同尺寸的单晶块SiC晶片的热阻抗的大约1.3倍。本发明还涉及用于制备该合成结构(40)的工艺。
基本信息
专利标题 ：
具有高热耗散的合成结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779950A
申请号 ：
CN200510117253.8
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·布萨戈尔B·富尔
申请人 ：
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请人地址 ：
法国贝尔尼
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200510117253.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/36 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183792637
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利申请号 : 2005101172538
公开日 : 20060531
号牌文件序号 : 101183792637
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利申请号 : 2005101172538
公开日 : 20060531
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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