以臭氧水成长超薄氧化层的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明将臭氧气体溶于去离子水中形成臭氧水，再将硅晶圆浸入臭氧水中成长超薄氧化层，用以取代传统制程中的高温成长超薄氧化层。本发明的优点为省时、省能、不需高温即可成长超薄、高密度、高均匀性的氧化层。
基本信息
专利标题 ：
以臭氧水成长超薄氧化层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964001A
申请号 ：
CN200510117685.9
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈永裕金光祖陈秋美罗正忠
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510117685.9
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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