气相成长装置及气相成长方法
公开
摘要
本发明提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。
基本信息
专利标题 ：
气相成长装置及气相成长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586133A
申请号 ：
CN202080075012.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南出由生和田直之
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张泽洲
优先权 ：
CN202080075012.4
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/24 C23C16/46 C30B25/10 C30B29/06 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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