气相成长装置
公开
摘要
本发明提供一种气相成长装置(1)，前述气相成长装置(1)能够在俯视观察气相成长装置(1)的情况下修正载具(C)相对于晶圆(WF)旋转方向的位置的偏离。气相成长装置(1)具备装载锁定室(13)，前述装载锁定室(13)设置有支承载具(C)的架(17)，在载具(C)和架(17)处设置修正机构，前述修正机构修正俯视观察气相成长装置(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。
基本信息
专利标题 ：
气相成长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586137A
申请号 ：
CN202080075000.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南出由生
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张泽洲
优先权 ：
CN202080075000.1
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 C23C16/24 C23C16/458 C30B25/12 C30B29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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