用于光开关的阵列准直耦合组件及其制作方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明涉及微机械光开关及制作。包括基座,凹坑,V形槽,入射、第一、第二出射准直器;方法用硅衬底基片生长二氧化硅和氮化硅薄膜,上、下表面涂覆光刻胶、前烘并坚膜或曝光和显影去胶制成V形槽和凹坑图形,腐蚀上表面V形槽和凹坑的二氧化硅和氮化硅薄膜制成V形槽和凹坑的硅图形;腐蚀V形槽硅图形再厚胶光刻,刻蚀凹坑硅图形,去除上表面光刻胶制成带凹坑、V形槽的硅材料基座;准直器置于有机材料模铸基座的V型槽。用本发明硅材料基座制作有机材料基座,解决加工难度大问题;用硅基座可制多个聚合物基座和准直器耦合降低成本;用V型槽与准直器解决球透镜与方坑匹配要求高及凸角补偿的问题,使对准难度降低,耦合效率高,降低插入损耗。

基本信息
专利标题 :
用于光开关的阵列准直耦合组件及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1896785A
申请号 :
CN200510119011.2
公开(公告)日 :
2007-01-17
申请日 :
2005-11-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梁静秋董玮赵莉娜陈维友
申请人 :
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址 :
130031吉林省长春市东南湖大路16号
代理机构 :
长春科宇专利代理有限责任公司
代理人 :
梁爱荣
优先权 :
CN200510119011.2
主分类号 :
G02B6/26
IPC分类号 :
G02B6/26  B81B7/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/26
光耦合装置
法律状态
2009-02-25 :
发明专利申请公布后的驳回
2008-07-23 :
实质审查的生效
2007-01-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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