聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法。传感器为长方形薄片状，厚度为30～50μm。将聚偏氟乙烯树脂挤出成膜，然后进行同步拉伸极化，利用模具进行真空镀膜，获得具有压电效应的适合用于电子白板的传感器。拉伸比为4.5∶1，极化温度为65～90℃，极化电场为20～80MV/m。镀膜材料为银和铝，电极的厚度为50～100nm，镀膜的真空度为1×10－3～5×10－3Pa，引出电极之间的距离是21.6mm。本发明的制备工艺简便，易于操作，成本较低并且产品性能稳定。
基本信息
专利标题 ：
聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819293A
申请号 ：
CN200510119116.8
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘雅言吴亚男郇彦杨一飞郭川
申请人 ：
中国科学院长春应用化学研究所
申请人地址 ：
130022吉林省长春市人民大街5625号
代理机构 ：
长春科宇专利代理有限责任公司
代理人 ：
马守忠
优先权 ：
CN200510119116.8
主分类号 ：
H01L41/08
IPC分类号 ：
H01L41/08 H01L41/22 B29C47/00
法律状态
2012-03-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201710420
IPC(主分类) : H01L 41/08
专利号 : ZL2005101191168
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20101228
号牌文件序号 : 101201710420
IPC(主分类) : H01L 41/08
专利号 : ZL2005101191168
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20101228
2008-10-08 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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