高频开关晶体管和高频电路
授权
摘要
一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较
基本信息
专利标题 ：
高频开关晶体管和高频电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801620A
申请号 ：
CN200510120141.8
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·罗斯兰德H·塔迪肯U·格尔拉赫
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200510120141.8
主分类号 ：
H03K17/693
IPC分类号 ：
H03K17/693 H01P1/15
法律状态
2011-11-16 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
