包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
授权
摘要
本发明涉及一种包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：晶体管；电连接到所示晶体管的第一杂质区和第二杂质区的电阻层。
基本信息
专利标题 ：
包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790719A
申请号 ：
CN200510120235.5
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳寅儆李明宰徐顺爱徐大卫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120235.5
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2011-08-24 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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