发光二极管的荧光分布设计
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明发光二极管的荧光分布设计，主要是依据晶粒的正面和侧面的光线强度大小而决定含有荧光粉的胶体在晶粒的正面的涂布量较多于侧面，基于荧光粉会吸收部分光能量的特性，使得晶粒所发出的光能量在正面被荧光粉吸收多于侧面。如此一来，通过适当控制涂布的荧光粉的量而调整晶粒在正面和侧面的光强度，而避免有色差产生。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的荧光分布设计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964087A
申请号 ：
CN200510120309.5
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李世辉高湘凯符永蒨
申请人 ：
联欣光电股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周国城
优先权 ：
CN200510120309.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-10-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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