不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明涉及一种不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法，即在蓝宝石或SiC衬底上用常规半导体器件沉积技术依次生长初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN弛豫层、InGaN多量子结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层；再用该外延材料制做单管芯白光发光二极管；本方法保留已有普通单色光发光二极管器件制做工艺，仅对生长氮化镓基发光材料的生长过程进行改进，提高In组分达到形成In量子点，增加一个应力释放层，在不增加器件复杂性的前提下，从根本上降低了白光发光二极管成本，增加了光出射效率和利用效率，克服了荧光粉转换而成的白光发光二极管的缺点，提高了白光发光二极管的整体性能。

基本信息

专利标题：

不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038947A

申请号：

CN200610065103.1

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈弘贾海强郭丽伟周均铭王晓晖汪洋裴晓将

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

优先权：

CN200610065103.1

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00