半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法
专利权的终止
摘要

半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法,本发明涉及一种纳米电极的制造技术,将直径为微米级的碳纤维或碳管或碳棒通过银导电胶与铜丝相连,在碱性溶液中用电化学方法进行刻蚀,待碳材料在溶液与空气界面发生断裂产生纳米级的尖端后,用直流稳压电源在碳材料表面电泳沉积绝缘层,经加热绝缘层固化至电极完全绝缘,然后将绝缘后电极用胶密封在塑料管中,胶干后,打磨抛光或激光刻蚀,直至暴露出碳材料的尖端,即得在铁氰化钾的氯化钾溶液中出现良好的“S”形极限稳态伏安曲线的碳纳米圆盘电极。

基本信息
专利标题 :
半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1789998A
申请号 :
CN200510122923.5
公开(公告)日 :
2006-06-21
申请日 :
2005-12-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王彩娟胡效亚
申请人 :
扬州大学
申请人地址 :
225009江苏省扬州市大学南路88号
代理机构 :
扬州市锦江专利事务所
代理人 :
江平
优先权 :
CN200510122923.5
主分类号 :
G01N27/30
IPC分类号 :
G01N27/30  H01L21/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极,例如测试电极;半电池
法律状态
2014-02-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101567528902
IPC(主分类) : G01N 27/30
专利号 : ZL2005101229235
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20121205
2008-05-07 :
授权
2006-08-16 :
实质审查的生效
2006-06-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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