一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，属于微电子器件制备技术领域，其工艺步骤如下：1.在硅基片表面上光刻出金属阳极图形；2.在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铬/银薄膜；3.超声剥离；4.反转光刻阴极隔离柱图形，完成制作。OLED具有可实现柔软显示、色彩鲜艳、响应速度快、抗低温及工艺简单等优点，可广泛应用于视频显示领域。本发明方法具有成本低和工艺简单的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1972545A
申请号 ：
CN200510123888.9
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
欧毅李大勇
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510123888.9
主分类号 ：
H05B33/10
IPC分类号 ：
H05B33/10 H05B33/26 H01L51/50
法律状态
2022-03-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 51/56
登记生效日 : 20220223
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 北京中科微投资管理有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 100010 北京市东城区大取灯胡同2号4号楼1层108室
登记生效日 : 20220223
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 北京中科微投资管理有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 100010 北京市东城区大取灯胡同2号4号楼1层108室
2009-06-03 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
