采用非晶材料作为参考与自由层的磁隧道结
授权
摘要
一种磁隧道结，由一个MgO或Mg－ZnO隧道势垒层以及与该隧道势垒层的两侧分别紧邻的非晶磁性层构成。该非晶磁性层优选地包括Co以及至少一种添加元素，选择该添加元素例如硼以使该层非晶化。由该非晶磁性层和隧道势垒层形成的磁隧道结具有高至200％或更高的隧穿磁电阻值。
基本信息
专利标题 ：
采用非晶材料作为参考与自由层的磁隧道结
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801331A
申请号 ：
CN200510124607.1
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斯图亚特·P·帕金
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200510124607.1
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39 G11C11/15 G01R33/09 H01L43/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
2008-02-06 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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