三重工作电压元件
授权
摘要
本发明提供一种三重工作电压元件，其包括一第一型基底、一高压(HV)第一型井、一第二型井、一低压(LV)元件井、和一中压(MV)元件井。所述HV第一型井安置在所述第一型基底内部。所述第二型井安置在所述第一型基底内部，以使所述HV第一型井与所述第一型基底相分离。所述LV元件井与所述MV元件井藉由分离所述HV第一型井，而分离地安置在所述HV第一型井内部。所述三重工作电压元件有助于减小所述LV元件井与所述MV元件井之间的间隔，并可增进集成电路的集成度。
基本信息
专利标题 ：
三重工作电压元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979805A
申请号 ：
CN200510125862.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪梓晏邱明正吴展良
申请人 ：
奇景光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510125862.8
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/761
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2008-09-03 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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