小面积低电压反熔丝元件与阵列
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种小面积低电压反熔丝元件与阵列，此反熔丝元件具有两两对称分布的四个第一闸极介电层，反熔丝闸极位于第一闸极介电层上，并将反熔丝闸极的四个角落分别与每一第一闸极介电层最靠近反熔丝闸极的一个角落重叠，且反熔丝闸极的每一个角落形成有尖角；此反熔丝元件利用四个第一闸极介电层共享一个反熔丝闸极，得以大幅缩减元件尺寸，而在进行操作时，通过电荷于尖角处的密度较高来降低击穿电压，可降低绝对电压，并达成降低电流消耗的目的。
基本信息
专利标题 ：
小面积低电压反熔丝元件与阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284272A
申请号 ：
CN202011178949.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄文谦黄郁婷吴其沛
申请人 ：
亿而得微电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹北市台元街二八号七楼之二
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
张梦泽
优先权 ：
CN202011178949.2
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 G11C17/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/112
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
