低成本低电压反熔丝阵列
公开
摘要
本发明涉及低成本低电压反熔丝阵列，所述低成本低电压反熔丝阵列包含复数子存储器阵列，在每一子存储器阵列中，所有反熔丝记忆晶胞的反熔丝晶体管具有和其他反熔丝晶体管共享的反熔丝闸极，这些反熔丝记忆晶胞两两并排配置于相邻的两位元线之间，同排的反熔丝记忆晶胞连接到不同位元线，而所有的反熔丝记忆晶胞连接到相同选择线，并分别连接到不同字线。本发明利用源极接点共享的配置方式，可达到稳固源极架构及缩小整体布局面积，同时，可使用最少的控制电压种类而减少漏电流。
基本信息
专利标题 ：
低成本低电压反熔丝阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613774A
申请号 ：
CN202011528284.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄文谦黄郁婷吴其沛
申请人 ：
亿而得微电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹北市台元街二八号七楼之二
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王爱涛
优先权 ：
CN202011528284.3
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 G11C17/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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