半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路，其中包括：一半导体泵浦系统，该半导体泵浦系统的泵浦波长是808nm；一激光晶体，该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一折叠腔镜，该折叠腔镜位于激光晶体的前端，将激光晶体的光线折叠一角度；一半导体吸收镜，该半导体吸收镜作为吸收体的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一聚焦镜，该聚焦镜位于折叠腔镜和半导体吸收镜之间，将激光聚焦在半导体吸收镜上。
基本信息
专利标题 ：
半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979978A
申请号 ：
CN200510126324.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王勇刚马骁宇
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510126324.0
主分类号 ：
H01S3/08
IPC分类号 ：
H01S3/08 H01S3/098
法律状态
2008-11-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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