本发明涉及半导体刻蚀工艺中的喷嘴。本发明为双区喷嘴，包括喷嘴主体，其中所述喷嘴主体内设有中心通孔和与该中心通孔同轴布置的环形孔，所述喷嘴主体上设有中心通孔的中心孔入口和环形孔入口。本发明的有益效果是：本发明中，由于具有两个独立的气体通道，气体的流量可以分别控制，即可以通过减小中心通孔内的气体流量，相应增加环形孔内气体流量的办法平衡进入到反应室内中央和外围的气体流量，使反应室内气体更容易实现均匀，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。