形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法

专利权的终止

摘要

本发明揭露了一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法。包括提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上。接着转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层。然后形成一埋藏扩散区于该衬底内。接着形成一第二介电层于该衬底上。然后回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层。接着蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠。然后形成浅沟渠隔离于该沟渠。接着转移一浮置栅极图案至该第一介电层与该第二介电层，并移除该第一介电层以曝露部分该垫介电层。接着移除该曝露之垫介电层以暴露出该衬底。然后形成一隧道氧化层于该衬底暴露出的部分。接着形成一第一导体层于该隧道氧化层与该衬底上。然后平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离。接着形成一闸间介电层该第

基本信息

专利标题：

形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979809A

申请号：

CN200510128880.1

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吴俊沛钟维民陈辉煌

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行路16号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200510128880.1

主分类号：

H01L21/8239

IPC分类号：

H01L21/8239 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

法律状态

2020-11-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8239
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20080716
终止日期 : 20191202

2008-07-16 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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