二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si－O－Si键，Si－CH3键和Si－CHx－键，其中x代表0－2的整数。
基本信息
专利标题 ：
二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1891757A
申请号 ：
CN200510128973.4
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中田义弘矢野映
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200510128973.4
主分类号 ：
C08L83/04
IPC分类号 ：
C08L83/04 H01L21/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L83/00
由只在主链中形成含硅的，有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
C08L83/04
聚硅氧烷
法律状态
2019-11-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C08L 83/04
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20181202
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20181202
2009-09-02 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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