Si基膜纳米孔道及其制备方法

专利权的终止

摘要

一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。

基本信息

专利标题：

Si基膜纳米孔道及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1807224A

申请号：

CN200510130743.1

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王宇钢张伟明薛建明

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

陈美章

优先权：

CN200510130743.1

主分类号：

B82B1/00

IPC分类号：

B82B1/00 B82B3/00 C01B33/02 C01B33/113 C25F3/02