微小区域残余应力的无损检测方法
专利权的终止
摘要

微小区域残余应力的无损检测方法,涉及一种测量方法。现有残余应力测量方法存在耗时长、需要应用高角度衍射峰的缺点。本发明方法为,利用XRD2设备对待测残余应力的样品测量后获得XRD2面探图谱,然后对所得图谱进行处理,得到相应一组(hkl)衍射峰的衍射角(2θ)随着德拜环张角(x)变化的数据{xl,2θ到相应的直线,由拟合得到直线的斜率与残余应力之间的关系,即可计算出所测量样品该微小区域的残余应力。本发明方法不仅可以实现材料微小区域残余应力的测量,而且可以快速地得到满足精度要求的结果,另外,利用设备可调节X射线有效穿透深度的特点,可获得残余应力沿表面法线方向的分布,利于推广应用。

基本信息
专利标题 :
微小区域残余应力的无损检测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1793872A
申请号 :
CN200510131351.7
公开(公告)日 :
2006-06-28
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
费维栋杨帆
申请人 :
哈尔滨工业大学
申请人地址 :
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 :
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 :
张伟
优先权 :
CN200510131351.7
主分类号 :
G01N23/20
IPC分类号 :
G01N23/20  G06F19/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射,例如,用于测试晶体结构;利用材料辐射的散射,例如测试非晶材料;利用材料辐射的反射
法律状态
2012-03-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101204511490
IPC(主分类) : G01L 1/25
专利号 : ZL2005101313517
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20101229
2010-05-05 :
授权
2006-08-23 :
实质审查的生效
2006-06-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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