能利用缓冲器刷新数据的存储器装置及其刷新方法
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摘要
一种集成电路存储器装置包括在存储器系统中的多个存储器与一个刷新控制器。刷新控制器被配置来生成刷新请求信号。多个存储器包括对刷新请求信号作出响应的多个存储器的存储体。附加的存储器包括缓冲器单元，其被配置来响应从多个存储器的存储体的第一个存储体收到刷新－访问中断信号，生成给多个存储器的存储体的第一个存储体的刷新指示信号，并接收对多个存储器的存储体的第一个存储体进行寻址的缓冲器写数据。多个存储器的存储体和该缓冲器单元可以是分开的DRAM芯片。
基本信息
专利标题 ：
能利用缓冲器刷新数据的存储器装置及其刷新方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822224A
申请号 ：
CN200510131599.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
表锡洙郑铉泽河旻烈
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510131599.3
主分类号 ：
G11C11/401
IPC分类号 ：
G11C11/401 G11C11/406 G11C7/00 G06F12/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
法律状态
2010-09-29 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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