减少字元线片电阻的方法
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摘要
一种减少字元线片电阻的方法，此方法是形成具有较低片电阻的记忆体字元线。在一实施例中，利用第一前驱气体流量在一半导体基底上沉积一第一多晶硅部。利用第二前驱气体流量沉积一第二多晶硅部，其中第二前驱气体流量大于第一前驱气体流量。利用硅烷气体沉积一硅化钨层。从多晶硅和硅化钨(WSix)的隔离沟渠中形成数个字元线。植入一闸极。
基本信息
专利标题 ：
减少字元线片电阻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812055A
申请号 ：
CN200510131806.5
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宏伟施学浩王嗣裕
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510131806.5
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2009-03-25 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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