一种羰基镍的合成方法

专利权的终止

摘要

本发明属于粉末冶金领域，特别涉及一种羰基镍的合成方法。该方法包括如下具体步骤：(1)制备具有活性的羰基合成原料：首先将上述合金组份加热至熔融状态1600℃～1650℃，然后将此熔体通过0.3～0.5MPa高压水雾化快速冷凝，水温控制在10～15℃，雾化速度为4～5kg/分钟，获得的合金颗粒粒径范围为0.5～5mm，其中粒径在0.5～2mm的颗粒≥85％；粒径在2～5mm的颗粒≤15％；(2)羰基镍合成：将上述制备的合金颗粒放置在容积为10升的高压釜内，羰基合成条件为：通入高压釜的CO含量≥92％；CO气体在羰基合成的系统中循环速度8～12次/小时，压力5～12MPa；温度：100～150℃；合成时间：24～32小时。本发明与现有技术相比具有工艺简单、设备造价低、羰基合成率高的优点。

基本信息

专利标题：

一种羰基镍的合成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1775695A

申请号：

CN200510134248.8

公开（公告）日：

2006-05-24

申请日：

2005-12-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

滕荣厚柳学全陈趣山刘思林

申请人：

钢铁研究总院

申请人地址：

100081北京市海淀区学院南路76号

代理机构：

北京中安信知识产权代理事务所

代理人：

金向荣

优先权：

CN200510134248.8

主分类号：

C01G53/02

IPC分类号：

C01G53/02