一种紫外滤波晶体材料六水硫酸镍钴铵
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

一种紫外滤波晶体材料六水硫酸镍钴铵涉及光学与人工晶体材料。该晶体的分子式为(NH4)2Co0.17Ni0.83(SO4)2·6H2O,单斜晶系空间群P2(1)/c,晶胞参数a=6.2432(3),b=12.4728(5),c=9.1967(4),α=γ=90°,β=106.9880(10)°,V=684.90(5)3。Z=2,Dc=1.916g/cm3。该晶体既能保持ANSH晶体具有紫外波段(~254nm)的高透过率和优良的热稳定性,又可提高对可见光(450~600nm)的吸收功能,更重要的是能在饱和溶液中实时观察控制晶体生长过程,实现用溶液降温法生长可用尺寸的ACNSH晶体。

基本信息
专利标题 :
一种紫外滤波晶体材料六水硫酸镍钴铵
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1982509A
申请号 :
CN200510134272.1
公开(公告)日 :
2007-06-20
申请日 :
2005-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
庄欣欣苏根博贺友平郑国宗
申请人 :
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 :
350002福建省福州市杨桥西路155号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510134272.1
主分类号 :
C30B29/10
IPC分类号 :
C30B29/10  C30B29/46  C30B7/08  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
法律状态
2011-05-18 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101091475609
IPC(主分类) : C30B 29/10
专利申请号 : 2005101342721
公开日 : 20070620
2009-01-21 :
实质审查的生效
2007-06-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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