高衰减晶体滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及一种高衰减晶体滤波器，包括基座组、外壳、电路板、滤波晶体、变量器和片式电容器，其技术要点是：电路板垂直焊接于基座组上表面且每对滤波晶体中位于下方的滤波晶体与基座组上表面焊接，两对滤波晶体之间焊接有竖向铜片且竖向铜片的下端与基座组上表面焊接，两对滤波晶体中位于上方的两个滤波晶体与外壳内顶面之间焊接有水平方向布置的铜片接地部，铜片接地部由多片叠放的水平铜片组成，竖向铜片的上端与铜片接地部下表面焊接。其结构简单、使用可靠，解决了采用电阻焊封装的高衰减滤波器接地措施困难的问题，保证采用电阻焊封装的晶体滤波器的高衰减指标。
基本信息
专利标题 ：
高衰减晶体滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020947518.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212183493U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
董楠
申请人 ：
辽阳鸿宇晶体有限公司
申请人地址 ：
辽宁省辽阳市白塔区西文化路20号
代理机构 ：
沈阳鼎恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵月娜
优先权 ：
CN202020947518.7
主分类号 ：
H03H9/19
IPC分类号 ：
H03H9/19 H03H9/56 H03H9/02
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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