适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种适合矩阵转置的DDR存储控制器，适用于DDR SDRAM存储器，包括：数据通道、地址生成单元、工作模式配置单元、中心控制单元、时钟单元、读数据总线、写数据总线、地址总线、配置总线和控制总线，还包括存储颗粒A接口单元、存储颗粒B接口单元。本发明还提供了一种矩阵行列访问方法，可以完全隐藏DDR颗粒的操作开销，实现不间断的数据传输；并在完成矩阵行访问和矩阵列访问时，都能够充分利用DDR颗粒2倍数据率的特性。

基本信息

专利标题：

适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832035A

申请号：

CN200510135207.0

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭勐王贞松

申请人：

中国科学院计算技术研究所

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村科学院南路6号

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

优先权：

CN200510135207.0

主分类号：

G11C11/409

IPC分类号：

G11C11/409 G11C7/00 G06F12/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

G11C11/401

形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的

G11C11/4063

辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的

G11C11/407

用于场效应型存储单元的

G11C11/409

读写电路

法律状态

2021-12-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G06F 12/00
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20201227

2009-01-21 ：

授权

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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