一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种环状含金属芯的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的环状，该圆环的内径为10～100000nm，外径为20～200000nm；还包括位于该环状多层膜的几何中心位置的一个金属芯，该金属芯的直径为5～50000nm。按照形成的材料分类，本发明的环状含金属芯的磁性多层膜包括无钉扎型环状含金属芯的磁性多层膜和钉扎型环状含金属芯的磁性多层膜，其可以通过微加工方法或绝缘体微米、亚微米或纳米颗粒掩模两种方法来制备。本发明的环状含金属芯的磁性多层膜无退磁场，形状各向异性微弱，能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件，例如，磁性随机存取存储器，计算机磁头，磁敏传感器等。
基本信息
专利标题 ：
一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992105A
申请号 ：
CN200510135370.7
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马明韩秀峰姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510135370.7
主分类号 ：
H01F10/32
IPC分类号 ：
H01F10/32 H01F10/12 H01F41/14 H01L43/08 H01L43/12 G11C11/16 G11B5/39 B32B1/08 B32B33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜，如单畴结构的
H01F10/32
自旋交换耦合的多层，例如纳米结构的超晶格
法律状态
2018-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/15
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20110504
终止日期 : 20161231
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20110504
终止日期 : 20161231
2011-05-04 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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