一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种闭合形状的磁性多层膜,其特征在于:所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环,其中矩形内环的宽度为10~100000nm,矩形外环的宽度为20~200000nm,矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1~5;椭圆内环的短轴为10~100000nm,短轴与长轴的比值为1∶1.1~5,椭圆外环的短轴为20~200000nm。按照形成的材料分类,本发明的磁性多层膜包括无钉扎型闭合形状的磁性多层膜和钉扎型闭合形状的磁性多层膜,其可以通过微加工方法来制备。本发明的闭合形状的磁性多层膜无退磁场,形状各向异性微弱,能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件,例如,磁性随机存取存储器,计算机磁头,磁敏传感器等。
基本信息
专利标题 :
一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101000821A
申请号 :
CN200610011166.9
公开(公告)日 :
2007-07-18
申请日 :
2006-01-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜丽仙马明韩宇男覃启航魏红祥韩秀峰
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200610011166.9
主分类号 :
H01F10/32
IPC分类号 :
H01F10/32 H01F10/12 H01F41/14 H01L43/08 H01L43/12 G11C11/16 G11B5/39
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜,如单畴结构的
H01F10/32
自旋交换耦合的多层,例如纳米结构的超晶格
法律状态
2012-03-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101207310133
IPC(主分类) : H01F 10/32
专利号 : ZL2006100111669
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20110111
号牌文件序号 : 101207310133
IPC(主分类) : H01F 10/32
专利号 : ZL2006100111669
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20110111
2010-05-12 :
授权
2007-09-12 :
实质审查的生效
2007-07-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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