化学机械抛光设备与化学机械抛光工艺
授权
摘要
一种化学机械抛光设备，此化学机械抛光设备是至少由抛光机台、第一厚度量测仪与第二厚度量测仪所构成，其中第一厚度量测仪是与抛光机台连接，而第二厚度量测仪是与抛光机台连接。由于第一厚度量测仪与第二厚度量测仪可以以原位的方式，用以量测抛光工艺后所保留下来的第一材料层与第二材料层的厚度，因此可以减少晶片之间的膜厚差异。
基本信息
专利标题 ：
化学机械抛光设备与化学机械抛光工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1986157A
申请号 ：
CN200510136189.8
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡俊汀谢祖怡曾子育郭永杰白弘吉
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136189.8
主分类号 ：
B24B39/06
IPC分类号 ：
B24B39/06 H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B39/00
抛光机床或装置，即需要用于压实表面区域的压力部件；及其附件
B24B39/06
适用于加工平面的
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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