单室牺牲阳极－水热合成制备羟基磷灰石涂层的方法

专利权的终止

摘要

单室牺牲阳极－水热合成制备羟基磷灰石涂层的方法属于生物活性陶瓷羟基磷灰石涂层的制备技术领域。本发明流程主要包括初始涂层制备和水热处理。制备初始涂层溶液中的钙磷原子比为可控制在1－2之间，反应温度在室温到100℃之间。水热处理在高压釜中进行，水热处理温度在120－200℃之间，水热处理时间随温度升高而减小。水热溶液pH值为9－12，该方法能够在工业纯钛、Ti6Al4V合金、316L不锈钢、铜及黄铜表面制备羟基磷灰石涂层。本方法获得的初始涂层上无镁元素存在。通过调整初始涂层制备的时间，调整涂层的厚度，涂层与基体之间的界面结合力在7MPa以上。本发明工艺简单、操作方便、适用范围广、投资少。

基本信息

专利标题：

单室牺牲阳极－水热合成制备羟基磷灰石涂层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1776010A

申请号：

CN200510200592.2

公开（公告）日：

2006-05-24

申请日：

2005-10-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

梁成浩陈邦义陈婉吴波王华

申请人：

大连理工大学

申请人地址：

116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

代理机构：

大连八方知识产权代理有限公司

代理人：

卫茂才

优先权：

CN200510200592.2

主分类号：

C23C16/30

IPC分类号：

C23C16/30 C23C16/46 C23F13/14